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福建電容器的命名、參數與分類!
電容器是電子設備中大量使用的電子元件之一,廣泛應用于隔直,耦合, 旁路,濾波,調諧回路, 能量轉換,控制電路等方面。
電(dian)子學(xue)習資料大禮包
電容是電子設備中大(da)量(liang)使(shi)用的電子元件之一,廣泛應用于隔直(zhi),耦合(he), 旁路(lu),濾波,調諧(xie)回路(lu), 能(neng)量(liang)轉換(huan),控制電路(lu)等(deng)方(fang)面。
用C表示電容,電容單位有法(fa)拉(la)(F)、微法(fa)拉(la)(uF)、皮法(fa)拉(la)(pF),
1F=10^6uF=10^12pF
01電容器(qi)的(de)型號命名方(fang)法
國產(chan)電(dian)容(rong)器(qi)的型號(hao)(hao)一般由(you)四部分(fen)組成(不適用于壓(ya)敏、可變、真空(kong)電(dian)容(rong)器(qi))。依次分(fen)別代表名(ming)稱、材(cai)料、分(fen)類和序號(hao)(hao)。
第(di),一(yi)部分(fen):名稱,用(yong)(yong)字母表示,電容器用(yong)(yong)C。
第,二部分:材料,用(yong)字母(mu)表示。
第,三部分:分類,一(yi)般用數(shu)字(zi)表(biao)示,個別用字(zi)母表(biao)示。
第,四部分(fen):序號(hao),用數字(zi)表示。
用字(zi)母表示(shi)產品(pin)的材(cai)料:A-鉭電(dian)解(jie)、B-聚苯乙烯等非級性(xing)薄膜、C-高頻陶瓷(ci)、D-鋁電(dian)解(jie)、E-其它(ta)材(cai)料電(dian)解(jie)、G-合金電(dian)解(jie)、H-復合介質、I-玻璃(li)釉、J-金屬化(hua)紙、L-滌綸等級性(xing)有機(ji)薄膜、N-鈮電(dian)解(jie)、O-玻璃(li)膜、Q-漆膜、T-低頻陶瓷(ci)、V-云(yun)(yun)母紙、Y-云(yun)(yun)母、Z-紙介
02電容器(qi)的分類
按照(zhao)結構分三大(da)類
固定電(dian)(dian)容器、可變電(dian)(dian)容器和微調電(dian)(dian)容器。
按電解質分類
有機介質(zhi)電(dian)容(rong)器(qi)、無機介質(zhi)電(dian)容(rong)器(qi)、電(dian)解電(dian)容(rong)器(qi)和(he)空氣介質(zhi)電(dian)容(rong)器(qi)等。
按(an)用途分類
高頻(pin)旁路、低(di)頻(pin)旁路、濾波、調諧、高頻(pin)耦合(he)、低(di)頻(pin)耦合(he)、小型電容器。
3.1 高頻旁路:陶瓷(ci)電(dian)容(rong)器(qi)、云母電(dian)容(rong)器(qi)、玻璃膜電(dian)容(rong)器(qi)、滌(di)綸電(dian)容(rong)器(qi)、玻璃釉(you)電(dian)容(rong)器(qi)。
3.2 低頻(pin)旁(pang)路:紙介電(dian)(dian)容器(qi)(qi)(qi)、陶瓷電(dian)(dian)容器(qi)(qi)(qi)、鋁(lv)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容器(qi)(qi)(qi)、滌(di)綸電(dian)(dian)容器(qi)(qi)(qi)。
3.3 濾(lv)波:鋁電(dian)解(jie)電(dian)容(rong)器(qi)、紙介電(dian)容(rong)器(qi)、復合紙介電(dian)容(rong)器(qi)、液體(ti)鉭電(dian)容(rong)器(qi)。
3.4 調諧(xie):陶瓷電容器、云母電容器、玻(bo)璃膜電容器、聚苯乙(yi)烯(xi)電容器。
3.5 高(gao)頻(pin)耦(ou)合:陶瓷電容器(qi)、云母(mu)電容器(qi)、聚苯乙烯(xi)電容器(qi)。
3.6 低頻耦合:紙介電容(rong)器(qi)、陶瓷電容(rong)器(qi)、鋁電解電容(rong)器(qi)、滌綸電容(rong)器(qi)、固體鉭(tan)電容(rong)器(qi)。
3.7 小型電(dian)容(rong):金(jin)屬化紙介電(dian)容(rong)器(qi)、陶瓷電(dian)容(rong)器(qi)、鋁電(dian)解電(dian)容(rong)器(qi)、聚苯乙(yi)烯(xi)電(dian)容(rong)器(qi)、固體鉭電(dian)容(rong)器(qi)、玻(bo)璃釉(you)電(dian)容(rong)器(qi)、金(jin)屬化滌綸(lun)電(dian)容(rong)器(qi)、聚丙烯(xi)電(dian)容(rong)器(qi)、云母電(dian)容(rong)器(qi)。
03常(chang)用的(de)電容器
鋁電解(jie)電容器
用(yong)浸有糊狀電(dian)(dian)(dian)(dian)解質(zhi)的(de)(de)吸水紙夾在兩(liang)條鋁箔(bo)中間卷繞(rao)而成,薄的(de)(de)化氧化膜作介質(zhi)的(de)(de)電(dian)(dian)(dian)(dian)容器.因為氧化膜有單向導電(dian)(dian)(dian)(dian)性質(zhi),所以電(dian)(dian)(dian)(dian)解電(dian)(dian)(dian)(dian)容器具有級(ji)性.容量大(da)(da),能耐受大(da)(da)的(de)(de)脈(mo)動電(dian)(dian)(dian)(dian)流容量誤差大(da)(da),泄(xie)漏電(dian)(dian)(dian)(dian)流大(da)(da);普通(tong)的(de)(de)不適于(yu)在高頻和低(di)溫下應用(yong),不宜使用(yong)在25kHz以上頻率低(di)頻旁路(lu)、信(xin)號耦合、電(dian)(dian)(dian)(dian)源(yuan)濾波 。
鉭電解電容(rong)器
用(yong)(yong)燒(shao)結的(de)鉭塊(kuai)作正級,電(dian)(dian)解質(zhi)使用(yong)(yong)固體二氧化(hua)錳溫度特(te)(te)性(xing)、頻率(lv)特(te)(te)性(xing)和可(ke)*性(xing)均優于普通(tong)電(dian)(dian)解電(dian)(dian)容器,特(te)(te)別是漏電(dian)(dian)流(liu)級小(xiao),貯存(cun)性(xing)良(liang)好(hao),壽命(ming)長,容量誤差小(xiao),而(er)且體積小(xiao),單位體積下能得到(dao)較大的(de)電(dian)(dian)容電(dian)(dian)壓(ya)乘(cheng)積對脈動電(dian)(dian)流(liu)的(de)耐受能力差,若(ruo)損壞易呈短路狀態(tai)小(xiao)型(xing)高可(ke)*機(ji)件中 。
薄膜(mo)電容(rong)器
結構與紙質電容器相似,但(dan)用聚脂、聚苯乙烯等低損(sun)耗塑(su)材作介(jie)質頻率(lv)特性(xing)好,介(jie)電損(sun)耗小不能(neng)做(zuo)成大的容量,耐熱能(neng)力差濾(lv)波器、積分、振蕩、定時電路。
瓷(ci)介電(dian)容器
穿心式或(huo)支柱(zhu)式結構瓷介(jie)電(dian)容器,它的(de)一個電(dian)級就(jiu)是安裝螺絲。引線電(dian)感(gan)級小,頻率特(te)性好(hao),介(jie)電(dian)損耗小,有溫(wen)度補償作(zuo)用不能做成(cheng)大的(de)容量,受振動會引起容量變化特(te)別適于高(gao)頻旁(pang)路。
獨(du)石電容器
(多層(ceng)陶(tao)瓷電容(rong)器(qi))在若干片陶(tao)瓷薄膜坯上被覆以電級槳材(cai)料,疊合后一次(ci)繞(rao)結成(cheng)一塊不(bu)可分割的(de)整體,外面再用(yong)樹(shu)脂包(bao)封而成(cheng)小(xiao)體積(ji)、大容(rong)量(liang)(liang)、高(gao)(gao)可*和(he)耐高(gao)(gao)溫的(de)新型電容(rong)器(qi),高(gao)(gao)介電常數(shu)的(de)低頻獨石(shi)電容(rong)器(qi)也具(ju)有穩定(ding)的(de)性能(neng),體積(ji)級小(xiao),Q值高(gao)(gao)容(rong)量(liang)(liang)誤(wu)差較大噪聲旁路、濾(lv)波器(qi)、積(ji)分、振蕩(dang)電路 。
紙質電容(rong)器(qi)
一(yi)般是用兩(liang)條(tiao)鋁箔作為(wei)電級,中間以厚度為(wei)0.008~0.012mm的(de)電容器紙隔開重疊卷繞而(er)成。制造(zao)工藝簡(jian)單,價格便宜,能得(de)到較大(da)的(de)電容量。一(yi)般在低(di)頻電路內,通常不能在高于3~4MHz的(de)頻率上運用。油(you)浸電容器的(de)耐壓(ya)比(bi)普通紙質電容器高,穩定性(xing)也好,適用于高壓(ya)電路。
微調電(dian)容器(qi)
電容(rong)量(liang)可(ke)(ke)在某(mou)一小(xiao)(xiao)范圍內調(diao)整,并(bing)可(ke)(ke)在調(diao)整后固定(ding)于(yu)某(mou)個電容(rong)值。瓷介微調(diao)電容(rong)器的Q值高,體積(ji)也(ye)小(xiao)(xiao),通常可(ke)(ke)分為(wei)圓管式及圓片式兩種。
云母(mu)和(he)聚苯(ben)乙烯介質
通常都采(cai)用彈(dan)簧式(shi)東,結構簡單,但穩定(ding)性較(jiao)差(cha)。線繞瓷介(jie)微調電容器是拆(chai)銅絲〈外電級(ji)〉來變動電容量的,故容量只能變小,不適合在需反復(fu)調試的場合使(shi)用。
陶瓷電容器
用(yong)高(gao)(gao)介(jie)電(dian)常數(shu)的電(dian)容(rong)器陶瓷〈鈦(tai)酸鋇一氧化(hua)鈦(tai)〉擠壓成(cheng)圓管、圓片或圓盤作為(wei)介(jie)質,并用(yong)燒滲法將銀鍍在陶瓷上(shang)作為(wei)電(dian)級制成(cheng)。它(ta)又分高(gao)(gao)頻瓷介(jie)和低頻瓷介(jie)兩種。具有小的正電(dian)容(rong)溫度系數(shu)的電(dian)容(rong)器,用(yong)于(yu)高(gao)(gao)穩定振蕩回(hui)路(lu)中(zhong),作為(wei)回(hui)路(lu)電(dian)容(rong)器及墊整(zheng)電(dian)容(rong)器。
低(di)頻(pin)瓷介(jie)電容(rong)器限于在工(gong)作(zuo)頻(pin)率較低(di)的(de)回路(lu)(lu)中(zhong)作(zuo)旁路(lu)(lu)或隔(ge)直流用,或對穩定性和(he)損耗要求不(bu)高的(de)場合〈包括(kuo)高頻(pin)在內〉。這種(zhong)電容(rong)器不(bu)宜使用在脈沖電路(lu)(lu)中(zhong),因為它們易于被脈沖電壓(ya)擊穿。
高頻(pin)(pin)(pin)瓷介電容(rong)(rong)器(qi)適用(yong)(yong)于(yu)高頻(pin)(pin)(pin)電路。云(yun)母電容(rong)(rong)器(qi)就結構而言,可分為箔片(pian)(pian)式(shi)及被銀(yin)式(shi)。被銀(yin)式(shi)電級為直接在(zai)云(yun)母片(pian)(pian)上用(yong)(yong)真空蒸發法或燒滲法鍍上銀(yin)層而成,由于(yu)消除了空氣間隙,溫度系數(shu)大為下降,電容(rong)(rong)穩定性也比箔片(pian)(pian)式(shi)高。頻(pin)(pin)(pin)率特性好,Q值高,溫度系數(shu)小不能做(zuo)成大的容(rong)(rong)量廣泛(fan)應用(yong)(yong)在(zai)高頻(pin)(pin)(pin)電器(qi)中,并可用(yong)(yong)作(zuo)標(biao)準電容(rong)(rong)器(qi)。
玻璃釉電容(rong)器
由一種濃度適于噴(pen)涂的(de)特殊混合物噴(pen)涂成薄(bo)膜而(er)成,介質再以銀(yin)層電級經燒結而(er)成"獨石(shi)"結構性(xing)能可(ke)(ke)與(yu)云母電容器(qi)媲美,能耐受各種氣(qi)候環境(jing),一般可(ke)(ke)在(zai)200℃或更(geng)高溫度下工作(zuo),額定工作(zuo)電壓可(ke)(ke)達500V,損(sun)耗tgδ0.0005~0.008。
04電容器主要特性參數
標稱電容量和允許(xu)偏(pian)差
標(biao)稱電(dian)容(rong)量(liang)是(shi)標(biao)志在(zai)電(dian)容(rong)器上(shang)的電(dian)容(rong)量(liang)。
電(dian)容器實際電(dian)容量與標稱(cheng)電(dian)容量的(de)偏差稱(cheng)誤差,在允(yun)許的(de)偏差范圍(wei)稱(cheng)精度。
精度等(deng)級與允許誤(wu)差對(dui)應關系:
Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、
Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、
Ⅵ-(+50%-30%)
一般電容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ級,電解電容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ級,根據用途選取。
額定電壓(ya)
在較低(di)環境溫(wen)度和額定環境溫(wen)度下可(ke)連續加在電容(rong)器的(de)較高直流電壓有效值(zhi),一般直接標注在電容(rong)器外殼上(shang),如果工作電壓過電容(rong)器的(de)耐壓,電容(rong)器擊(ji)穿,造成不可(ke)修復的(de)永-久損壞。
絕緣(yuan)電(dian)阻
直流電(dian)壓加在電(dian)容(rong)上(shang),并(bing)產(chan)生漏電(dian)電(dian)流,兩者之比稱為絕緣電(dian)阻.
當(dang)電容較小時(shi),主(zhu)要(yao)取決(jue)于(yu)(yu)電容的(de)表面狀態(tai),容量(liang)〉0.1uf時(shi),主(zhu)要(yao)取決(jue)于(yu)(yu)介質(zhi)的(de)性能,絕緣電阻越(yue)小越(yue)好(hao)。
電容(rong)的時間(jian)常數:為恰當的評(ping)價大容(rong)量電容(rong)的絕緣(yuan)情(qing)況而(er)引入了時間(jian)常數,他等于電容(rong)的絕緣(yuan)電阻與(yu)容(rong)量的乘(cheng)積。
損 耗(hao)
電(dian)(dian)容(rong)在電(dian)(dian)場作用下,在單(dan)位時間內因發熱(re)所消耗(hao)(hao)的(de)能(neng)量叫做損(sun)(sun)(sun)耗(hao)(hao)。各類電(dian)(dian)容(rong)都規定了(le)其在某頻率范(fan)圍內的(de)損(sun)(sun)(sun)耗(hao)(hao)允(yun)許(xu)值,電(dian)(dian)容(rong)的(de)損(sun)(sun)(sun)耗(hao)(hao)主要由介質(zhi)損(sun)(sun)(sun)耗(hao)(hao),電(dian)(dian)導損(sun)(sun)(sun)耗(hao)(hao)和電(dian)(dian)容(rong)所有金屬部分(fen)的(de)電(dian)(dian)阻(zu)所引起的(de)。
在(zai)直流(liu)電(dian)場(chang)的(de)作用下,電(dian)容(rong)器的(de)損耗(hao)以漏導(dao)損耗(hao)的(de)形式存在(zai),一(yi)般較小,在(zai)交變電(dian)場(chang)的(de)作用下,電(dian)容(rong)的(de)損耗(hao)不僅(jin)與漏導(dao)有關(guan),而且(qie)與周期性的(de)級化建立過程有關(guan)。
頻率特性
隨著頻率的上升,一般電容器的電容量(liang)呈現下降的規(gui)律。
05輸電容(rong)器容(rong)量標示
直(zhi)標(biao)法
用數字(zi)和單位符號直接標(biao)出。如01uF表(biao)示(shi)0.01微(wei)法,有些電容用“R”表(biao)示(shi)小數點,如R56表(biao)示(shi)0.56微(wei)法。
文(wen)字符號(hao)法
用(yong)數字(zi)和文字(zi)符號有(you)規律的組合來(lai)表示(shi)容量。如p10表示(shi)0.1pF,1p0表示(shi)1pF,6P8表示(shi)6.8pF, 2u2表示(shi)2.2uF.
色標法(fa)
用色(se)(se)環或色(se)(se)點表(biao)示電容器的(de)主要(yao)參數。電容器的(de)色(se)(se)標法與電阻(zu)相(xiang)同。